Услуги НИОКР

Наша компания имеет собственное инжиниринговое подразделение, которое оказывает следующий спектр работ и услуг:

Разработка дизайна полупроводниковых гетероструктур для задач оптоэлектроники
Расчет и оптимизация оптических, электрических и тепловых характеристик оптоэлектронных устройств
Эпитаксиальный рост светоизлучающих и фотоприемных гетероструктур методом MOCVD
Исследование структурных, оптических и фотоэлектрических свойств функциональных материалов методами рентгеновской спектроскопии, люминесценции и фотовольтаики
Постростовая обработка эпитаксиальных пластин и разработка дизайна чиповых структур

Мы предлагаем услуги по разработке дизайна и синтеза эпитаксиальных гетероструктур методом MOCVD для задач оптоэлектроники и фотоники. Среди предлагаемых нами решений — объемные и квантоворазмерные светоизлучающие и фотоприемные гетероструктуры на основе полупроводниковых материалов группы A3B5

Тип эпитаксиальной структуры	Материалы	Применение
наногетероструктуры с одной или несколькими квантовыми ямами	система GaAs/(Al)GaAs/InGaAs	мощные лазерные диоды и светодиоды коротковолнового ИК диапазона 800 — 1080 нм
биполярные объемные гетероструктуры	система InP/InGaAs(P)	PIN фотодиоды и лавинные фотодиоды коротковолнового ИК диапазона 900 — 2600 нм
биполярные и униполярные объемные гетероструктуры с высокими потенциальным барьерами	система GaSb/InAsSb/AlGaAsSb	фотодиоды и лавинные фотодиоды с раздельными областями поглощения и фотоумножения в средневолновом ИК диапазоне 1.9 — 4.6 мкм
наногетероструктуры с напряженными сверхрешетками II-типа	система T2SL GaSb/InAs	неохлаждаемые/охлаждаемые матричные фотодетекторы средневолнового и дальневолнового ИК диапазона 3 — 5 мкм и 8 — 14 мкм
объемные метаморфные гетероструктуры	система GaAs/In(x)Ga(1-x)As/InAlGaAs	фотоэлектрические преобразователи мощного лазерного излучения 980 — 1064 нм;
многослойные наногетероструктуры с квантовыми ямами	система InP/InGaAs(P)	электрооптические модуляторы на основе Эффекта Штарка для систем интегральной фотоники

Услуги по разработке спектральных и фотометрических программно-аппаратных комплексов, проведение испытаний источников излучения различных конструкции на оборудовании собственного производства (спектрорадиометры, гониофотометры), аттестация измерительного оборудования и внесение в Гос. реестр СИ

Система измерения фотометрических характеристик светодиодных источников и ламп

Более подробную консультацию по перечню предлагаемых услуг и технологий вы можете получить обратившись к специалистам нашей компании.

Форма обратной связи

Войти Регистрация

Корзина 0 позиций на сумму 0 ₽