Подложки SiC

Диаметр до 6 дюймов
Толщина 0.35 - 0.5 мм
Одна/двухсторонняя полировка
Ориентация <0001>

Количество

шт

Монокристалл карбида кремния (SiC) имеет отличные свойства теплопроводности, высокую подвижность электронов и сопротивление пробою при высоком напряжении. Он подходит для изготовления высокочастотных, высокомощных, термоустойчивых и радиационно-стойких электронных устройств.

Технические характеристики

Метод роста	MOCVD
Политип	4H, 6H
Диаметр	2, 3, 4, 6"
Толщина	0.35, 0.5 мм
Кристаллографическая ориентация	＜0001>, другая по запросу
Допустимая разориентация	+/- 0.5 град
Легирование	Нелегированная, n- типа (легированная N)
Полировка	Односторонняя или двухсторонняя
Шероховатость	Ra < 5A @ 5x5 мкм

Подложки SiC

1 ₽

Под заказ

Подложки SiC

Технические характеристики

Подложки Ge

Подложки GaN

Подложки InSb

Подложки InAs