+7 (812) 565-60-60
Работаем по России и странам
Таможенного Союза
Пн - Пт 9:00 - 18:00 (Мск)
Подложки Si

Подложки Si

  • Диаметр до 12 дюймов
  • Толщина от 0.3 до 1 мм
  • Одна/двухсторонняя полировка
  • Ориентация <100>, <110>, <111>
1 ₽
Количество
шт
Кремний широко используется в полупроводниковой промышленности для изготовления функциональных полупроводниковых материалов, мощных транзисторов, выпрямителей и солнечных элементов. Мы предлагаем кремниевые подложки диаметром от 1 до 12 дюймов, p/n - типа или нелегированные. Также доступны для заказы структуры "кремний на изоляторе" (SOI).

Технические характеристики

Технические характеристики

Метод роста CZ, MCZ, FZ
Диаметр 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 12"
Толщина 0.3- 0.5 мм, 1.0 мм
Кристаллографическая ориентация <100>, <110>, <111>
Допустимая разориентация +/- 0.5 град
Легирование Нелегированная, p-типа (легированная B), n- типа (легированная P)
Полировка Односторонняя или двухсторонняя

Подложки SiC

1 ₽
шт

Подложки Ge

1 ₽
шт

Подложки GaN

1 ₽
шт

Подложки InSb

1 ₽
шт
Войти Регистрация
Корзина 0 позиций
на сумму 0 ₽